基本信息
| 标准名称： | 硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法 |
| 英文名称： | Test method for resistivity of silicon epitaxial layers by area contacts three-probe techniques |
| 中标分类： | 能源、核技术 >> 能源、核技术综合 >> 技术管理 |
| 发布日期： | 1994-04-11 |
| 实施日期： | 1994-10-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 2010-01-20 |
| 出版社： | 电子工业部标准化研究 |
| 出版日期： | 2004-04-18 |
| 页数： | 9页 |
适用范围
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前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理